onsemi NID6002NT4G
$ 3.84
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | NID6002NT4G | 0 | 1 | Bulk | 5h | |||||||
| Newark | NID6002NT4G | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | NID6002NT4G | 0 | 2500 | 15h | ||||||||
| element14 APAC | NID6002NT4G | 0 | 1 | Cut Tape | 1h | |||||||
| Farnell | NID6002NT4G | 0 | 1 | Cut Tape | 1d |
Fichas técnicas y documentos
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Modelos CAD
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Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.39.00.60
Introduction Date2005-12-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2017-02-07
LTD Date2025-04-08
Componentes relacionados
onsemiFQD11P06TM
TRANSISTOR, P-CHANNEL, QFET MOSFET, -60V, -9.4A, 185 MOHM, -55 TO 150C, D2PAK
Descripciones
Descripciones de onsemi NID6002NT4G suministradas por sus distribuidores.
Self-Protected MOSFET 65 V, 11 A, 210 mΩ Single N-Channel with Temperature and Current Limit
Tape & Reel (TR) NID6002N Current Limiting (Fixed) Over Temperature Over Voltage e3 power distribution switch 6.73mm 70V 96ns 6.5A
SMART MOSFET, N, 65V, 2.5W, D-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6.5A; Drain Source Voltage Vds: 65V; On Resistance Rds(on): 0.21ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.85V;
N Channel Mosfet, 60V, 11A, D-Pak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:11A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:60V; Resistencia De Activación Rds(On):210Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Onsemi NID6002NT4G
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Current Rating6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage65 V
Drain to Source Resistance185 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)70 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time660 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)14 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current6.5 A
Max Power Dissipation2.5 W
Max Supply Voltage65 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Number of Outputs1
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.3 W
Resistance185 mΩ
Rise Time250 ns
Threshold Voltage1.85 V
Turn-Off Delay Time840 ns
Turn-On Delay Time96 ns
Voltage Rating (DC)65 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento