onsemi NDS355N
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1995-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2021-02-17
LTD Date2021-08-17
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Componentes relacionados
InfineonIRLML9301TRPBF
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 0.064ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Diodes Inc.DMP3099L-13
DMP3099L Series 30 V 3.8 A P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
InfineonIRLML2030TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Descripciones
Descripciones de onsemi NDS355N suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.6A, 125mΩ
N-Channel 30 V 0.125 Ohm Logic Level Enhance Mode Field Effect Transistor-SSOT-3
MOSFET, N, SMD, SSOT-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):125mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:1.6A; Package / Case:SuperSOT-3; Power Dissipation Pd:500mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
These N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMICA cards, and other battery powered circuits where fast switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.6 A
Current Rating1.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance245 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation500 mW
Rds On Max85 mΩ
Resistance125 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.12 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento