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Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FDN361AN.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-06-23
LTD Date2009-12-23
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MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 98Milliohms;ID -3A;Micro3;PD 1.25W;-55degc
Descripciones
Descripciones de onsemi FDN361AN suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SuperSOT T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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MOSFET, N, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:1.8A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.8V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:8A; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; No. of Pins:3; Power Dissipation:0.5W; Power, Pd:0.5W; SMD Marking:361; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:30V; Voltage, Vgs th Max:3V; Width, External:3.05mm; Width, Tape:8mm
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.8 A
Current Rating1.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance220 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation500 mW
Rds On Max100 mΩ
Rise Time11 ns
Turn-Off Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Fichas técnicas y documentos
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