onsemi FDN337N

N-Channel Logic-Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 2.2A, 65mΩ
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DistributorSKUMinPkg
Future Electronics
2
FDN337N213.0003KTape & Reel
Avnet
3
FDN337N63.0003K
3d
Newark
4
FDN337N17.3371Cut Tape
Arrow Electronics
2
FDN337N841
Verical
2
FDN337N246.0003K

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FDN337N.

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InfineonIRLML2030TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
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Descripciones

Descripciones de onsemi FDN337N suministradas por sus distribuidores.

N-Channel Logic-Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 2.2A, 65mΩ
onsemi
N-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - SSOT-3
Future Electronics
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Surface Mount
EBV Elektronik
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:2.2A; On Resistance, Rds(on):0.065ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Package/Case:SuperSOT-3 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 2.2 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 70 / Gate-Source Voltage V = 8 / Fall Time ns = 4 / Rise Time ns = 10 / Turn-OFF Delay Time ns = 17 / Turn-ON Delay Time ns = 4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) mW = 500
Distrelec
SuperSOT™-3 N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA cards, and other battery powered circuits where fast switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
Fairchild Semiconductor
MOSFET, N, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:2.5A; Resistance, Rds On:0.052ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:0.7V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:10A; Device Marking:FDN337N; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; No. of Pins:3; Power Dissipation:0.5W; Power, Pd:0.5W; SMD Marking:337; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:20V; Width, External:3.05mm; Width, Tape:8mm
Farnell

Imágenes

element14 APAC
element14 APAC
TME
Distrelec
Newark
Newark
RS
iiiC
Future Electronics
Component Sense
Component Sense
Newark
TME
Component Sense
Rochester Electronics
Conrad
Megastar

Alias de fabricantes

onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • FDN 337 N
  • FDN337N.