onsemi NDF02N60ZH
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Componentes alternativos
Este componente
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Price @ 1000
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$ 0.386
Stock
4,325,295
848,338
Authorized Distributors
3
3
Mount
-
-
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vds)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
2.4 A
2.4 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
4.8 Ω
4.8 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
-
24 W
Input Capacitance
325 pF
274 pF
Cadena de suministros
Country of OriginVietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi NDF02N60ZH suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET 600V 2.4A 4.8 Ohm Single N-Channel TO-220FP Optimized
NDF02N60ZH N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2.2 A, 600 V, 3-PIN TO-220FP
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 2.4A Tc 2.4A 24W Tc 7ns
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
24W(Tc) 30V 4.5V@ 50µA 16nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 4.8Ω@ 1A,10V 2.2A 325pF@25V TO-220-2 Through hole mounting 10.63mm*4.9mm*16.12mm
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.4 A
Drain to Source Resistance4.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance325 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation24 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max4.8 Ω
Rise Time7 ns
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height16.12 mm
Length10.63 mm
Width4.9 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento