onsemi NDF05N50ZH
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$ 0.889
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Stock
1,741,087
2,290,427
2,290,427
Authorized Distributors
2
5
5
Mount
-
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
500 V
500 V
Continuous Drain Current (ID)
5.5 A
4.5 A
4.5 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
1.5 Ω
1.5 Ω
1.5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
25 V
25 V
Power Dissipation
30 W
30 W
30 W
Input Capacitance
632 pF
440 pF
440 pF
Cadena de suministros
Country of OriginVietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2017-12-15
LTD Date2018-03-01
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Componentes relacionados
onsemiFDPF5N50TYDTU
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descripciones
Descripciones de onsemi NDF05N50ZH suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET 500V 5A 1.5 Ohm Single N-Channel TO-220FP Optimized
Trans MOSFET N-CH 500V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
NDF05N50ZH, SINGLE MOSFETS;
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance632 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time11 ns
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento