onsemi MMBTA13

Name: onsemi MMBTA13
Brand: onsemi
SKU: MMBTA13

MMBTA13 Series 30 V CE Breakdown 1.2 A NPN Darlington Transistor - SOT-23

Obsolete

Página del fabricante Ficha técnica

Precio y existencias

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Farnell	3	MMBTA13	0	5	Cut Tape		0,101*	0,040*	0,024*	0,023*	19h
element14 APAC	2	MMBTA13	0	5	Cut Tape		0,078*	0,073*	0,051*	0,041*	1d
Win Source		WS-MMBTA13	9000	1820						0,027	20h
Worldway Electronics		MMBTA13	20.611	7	Tape & Reel		0,010	0,009	0,009	0,009	19h
Chipsmall Limited		MMBTA13	300.000	1		0,062	0,042	0,025	0,021	0,021	3h

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onsemi

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Este componente

Componentes alternativos

onsemiMMBTA13

onsemiMMBTA13LT1G

Price @ 1000

$ 0.042

Stock

405,310

17,471,995

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23

SOT-23-3

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

30 V

Max Collector Current

300 mA

Transition Frequency

125 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

1.5 V

hFE Min

5000

10000

Power Dissipation

350 mW

225 mW

Cadena de suministros

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date1989-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)

LTB Date2019-01-26

LTD Date2019-07-26

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

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Detalles

Descripciones

Descripciones de onsemi MMBTA13 suministradas por sus distribuidores.

MMBTA13 Series 30 V CE Breakdown 1.2 A NPN Darlington Transistor - SOT-23

Future Electronics

Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Rebound Electronics

Trans Darlington NPN 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Avnet

TRANSISTOR, DARLINGTON SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 350mW; DC Collector Current: 1.2A; DC Current Gain hFE: 5000hFE; Transistor Ca

Farnell

Small Signal Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:0.35W; DC Current Gain Min (hfe):10000; Package/Case:SOT-323; C-E Breakdown Voltage:30V; DC Collector Current:1.2A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes

Newark

DARLINGTON TRANSISTOR, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:1.2A; DC Current Gain hFE:10000; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Av Current Ic:1.2A; Collector Emitter Voltage Vces:1.5V; Continuous Collector Current Ic Max:300mA; Current Ic Continuous a Max:1.2A; Current Ic hFE:10A; Device Marking:MMBTA13; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; External Width:3.05mm; Gain Bandwidth ft Min:125MHz; Gain Bandwidth ft Typ:125MHz; Hfe Min:10000; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:350mW; Power Dissipation Ptot Max:350mW; SMD Marking:1M; Termination Type:SMD; Transistor Type:Darlington; Voltage Vcbo:30V

element14 APAC

Imágenes

Alias de fabricantes

onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

MMBTA13.
MMBTA13..

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Especificaciones técnicas

Physical

Case/PackageSOT-23

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight30 mg

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)30 V

Collector Emitter Breakdown Voltage30 V

Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V

Current Rating1.2 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)10 V

hFE Min5000

Max Breakdown Voltage30 V

Max Collector Current300 mA

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation225 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PolarityNPN

Power Dissipation350 mW

Transition Frequency125 MHz

Voltage Rating (DC)30 V

Dimensions

Height930 µm

Length2.92 mm

Fichas técnicas y documentos

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IHS

onsemi

Farnell

Fairchild Semiconductor

Cumplimiento

Clasificación ambiental

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Declaraciones de cumplimiento

Rohs Statement3 páginasHace 5 años

Reach Statement3 páginasHace 12 años

Materials Sheet3 páginasHace 12 años

Reach Statement3 páginasHace 11 años

Materials Sheet3 páginasHace 11 años

Reach Statement8 páginasHace 11 años

Rohs Statement1 páginasHace 13 años

Rohs Statement1 páginasHace 14 años

Reach Statement2 páginasHace 13 años

Rohs StatementN/AN/A