onsemi MMBTA13LT1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | MMBTA13LT1G | 60.000 | 3K | 4h | ||||||||
| Newark | MMBTA13LT1G | 3270 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | MMBTA13LT1G | 7917 | 1 | |||||||||
| Verical | MMBTA13LT1G | 54.000 | 18750 | |||||||||
| Future Electronics | MMBTA13LT1G | 696.000 | 3K | Tape & Reel |
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6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
300 mA
300 mA
300 mA
Transition Frequency
125 MHz
125 MHz
125 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
1.5 V
1.5 V
hFE Min
10000
10000
10000
Power Dissipation
225 mW
-
-
Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi MMBTA13LT1G suministradas por sus distribuidores.
Bipolar Transistors (BJT); MMBTA13LT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 30 V; 300 mA
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Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Continuous Collector Current300 mA
Current Rating300 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min10000
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current300 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency125 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height940 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento