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SI8489EDB-T2-E1 P-channel MOSFET Transistor; 4.3 A; 20 V; 4-Pin MICRO FOOT
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Si8472DB Series N-Channel 20 V 44 mOhm Surface Mount Power Mosfet - MICRO FOOT
Descripciones
Descripciones de onsemi FDZ493P suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-Pin BGA T/R
1.7W(Ta) 1.5V@ 250µA 11nC@ 4.5V 1individualPChannel 20V 46mΩ@ 4.6A,4.5V 754pF@10V 9BGA SMD mount
MOSFETs MFET -20V P-CH 2.5 V PowerTrench BGA
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 20V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, 6 PIN
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageBGA
MountSurface Mount
Number of Pins9
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance72 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance754 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.7 W
Rds On Max46 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FDZ493P.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento