Precio y existencias
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Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FDZ293P.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-11-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2010-09-23
LTD Date2011-03-23
Componentes relacionados
VishaySI8489EDB-T2-E1
SI8489EDB-T2-E1 P-channel MOSFET Transistor; 4.3 A; 20 V; 4-Pin MICRO FOOT
VishaySI8472DB-T2-E1
780mW(Ta) 8V 900mV@ 250¦ÌA 18nC@ 8 V 1N 20V 44m¦¸@ 1.5A,4.5V 630pF@10V BGA 960¦Ìm*960¦Ìm*260¦Ìm
Descripciones
Descripciones de onsemi FDZ293P suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 7-Pin BGA T/R
009 BALLS, FC-09B MOSFET BGA, 1.5 X 1.5MM PKG, SMD (Z7)<AZ
P-ch 2.5V specified BGA mosfet
MOSFETs 2.5V PCH,BGA 1.5x1.5 SPECIFIED POWRTRENCH
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 20V, 0.046ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageBGA
MountSurface Mount
Number of Pins9
Number of Terminals9
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.6 A
Current Rating-4.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance46 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance754 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.7 W
Rds On Max46 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height850 µm
Fichas técnicas y documentos
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