Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FDZ204P.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-03-11
LTD Date2008-09-11
Componentes relacionados
VishaySI8489EDB-T2-E1
SI8489EDB-T2-E1 P-channel MOSFET Transistor; 4.3 A; 20 V; 4-Pin MICRO FOOT
VishaySI8472DB-T2-E1
780mW(Ta) 8V 900mV@ 250¦ÌA 18nC@ 8 V 1N 20V 44m¦¸@ 1.5A,4.5V 630pF@10V BGA 960¦Ìm*960¦Ìm*260¦Ìm
Descripciones
Descripciones de onsemi FDZ204P suministradas por sus distribuidores.
20V/12V, 45/75MO, PCH, SINGLE, BGA 2X2, 240A GOX, PTI
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin BGA T/R
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-20V; Continuous Drain Current, Id:4.5A; On-Resistance, Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Package/Case:BGA; Drain-Source Breakdown Voltage:20V RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageBGA
MountSurface Mount
Number of Pins9
Number of Terminals9
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Current Rating-4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance884 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max45 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height800 µm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Declaraciones de cumplimiento