onsemi FDMS8320L
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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VISHAY SIR418DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 40 V, 0.00415 ohm, 10 V, 2.4 V
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMS8320L suministradas por sus distribuidores.
PT8 40V/20V LL Nch PowerTrench MOSFET - 8LD,PQFN,JEDEC MO240 AA,5.0X6.0MM, CLIPBOND
Single N-Channel 40 V 1.7 mOhm 117 nC 104 W PowerTrench SMT Mosfet - POWER 56-8
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 248A, 1.1mΩ
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 40V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed ang body diode reverse recovery performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight90 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)36 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance11.11 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max1.1 mΩ
Rise Time19 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time68 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento