onsemi FDD6635
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Obsolete
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-10-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
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SUD42N03-3M9P-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 107 A, 30 V, 3-PIN TO-252AA
Descripciones
Descripciones de onsemi FDD6635 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 35V, 59A, 10mΩ
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 35V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
3.8W(Ta)，55W(Tc) 20V 3V@ 250µA 36nC@ 10V 1individualNChannel 35V 10mΩ@ 15A,10V 15A，59A 1.4nF@20V D-PAK，TO-252 SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.39mm
This N-Channel MOSFET has been produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary PowerTrench technology to deliver low Rdson and optimized Bvdss capability to offer superior performance benefit in the applications.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -1.52%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage35 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)35 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage35 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max10 mΩ
Rise Time6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento