onsemi FCPF2250N80Z
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Cadena de suministros
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Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTP4NK80ZFP
N-CHANNEL 800V - 3 OHM - 3A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Descripciones
Descripciones de onsemi FCPF2250N80Z suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 2.6 A, 2.25 Ω, TO-220F
Trans MOSFET N-CH 800V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
21.9W(Tc) 20V 4.5V@ 260¦ÌA 14nC@ 10V 1individualNChannel 800V 2.25¦¸@ 1.3A,10V 2.6A 585pF@100V TO-220F Through hole mounting 10.36mm*4.9mm*16.07mm
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as Audio, Laptop adapter, Lighting, ATX power and industrial power applications.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Resistance2.25 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance585 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation21.9 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max2.25 Ω
Resistance2.25 Ω
Rise Time6.7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time11 ns
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento