onsemi FQPF6N80T
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Obsolete
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-07-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FQPF6N80T suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 800 V, 3.3 A, 1.95 Ω, TO-220F
Single N-Channel 800 V 1.95 Ohm 31 nC 51 W DMOS Flange Mount Mosfet - TO-220F
Trans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 800V, 1.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.3 A
Current Rating3.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance1.95 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation51 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation51 W
Rds On Max1.95 Ω
Rise Time70 ns
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Dimensions
Height16.07 mm
Length10.36 mm
Width4.9 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento