onsemi FCP11N60

Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 11 A, 380 mΩ, TO-220
$ 1.562
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DistributorSKUMinPkg
VericalFCP11N60950950
Rochester ElectronicsFCP11N60172
2h
DigiKeyFCP11N60-ND16021Tube
NewarkFCP11N600150
Onlinecomponents.comFCP11N600250Bulk

Fichas técnicas y documentos

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IHS

onsemi

Farnell

element14

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
onsemiFCP11N60
InfineonSPP11N60C3XKSA1
InfineonSPP11N60C3XKSA1
Price @ 1000
$ 1.562
$ 1.246
$ 1.246
Stock
203,694
824,092
824,092
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220
TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
11 A
11 A
Threshold Voltage
5 V
-
-
Rds On Max
380 mΩ
380 mΩ
380 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
20 V
20 V
Power Dissipation
125 W
125 W
125 W
Input Capacitance
1.49 nF
1.2 nF
1.2 nF

Cadena de suministros

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

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Descripciones

Descripciones de onsemi FCP11N60 suministradas por sus distribuidores.

Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 11 A, 380 mΩ, TO-220
onsemi
N-Channel 600 V 0.38 O 125 W 52 nC Flange Mount SuperFET FRFET Mosfet - TO-220
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB Rail
Verical
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):320mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:125W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:11A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:125W; Power Dissipation Pd:125W; Pulse Current Idm:30A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
SuperFET® MOSFET is Fairchild Semiconductor’s first genera-tion of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switch-ing performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Con-sequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
Fairchild Semiconductor

Imágenes

RS
TME
Farnell
Future Electronics
Conrad
Rochester Electronics

Alias de fabricantes

onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • FCP11N60.