onsemi FCP104N60
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-06-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de onsemi FCP104N60 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FAST, 600 V, 37 A, 104 mΩ, TO-220
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3 / N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 600V, 0.104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
600V 37A 96m´Î@10V18.5A 357W 3.5V@250uA 3.66pF@380V N Channel 3.13nF@380V 63nC@10V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-220 MOSFETs ROHS
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizingcharge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is suitable for various AC/DC power conversion for system miniaturization and higher efficiency.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -22.18%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)37 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance104 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.165 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation357 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation357 W
Rds On Max104 mΩ
Rise Time18 ns
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height19.85 mm
Length10.67 mm
Width4.7 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento