onsemi FCP099N60E
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-08-07
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2025-10-08
LTD Date2026-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Componentes relacionados
InfineonIPA65R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 38A TO220 / N-Channel 650 V 38A (Tc) 35W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
VishaySIHF30N60E-GE3
E Series N Channel 600 V 0.125 O 130 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
VishaySIHP28N60EF-GE3
250W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 120nC@ 10 V 1N 600V 123m¦¸@ 14A,10V 28A 2.714nF@100V TO-220AB 9.01mm
STMicroelectronicsSTF43N60DM2
N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP package
Descripciones
Descripciones de onsemi FCP099N60E suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 37 A, 99 mΩ, TO-220
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Sf2 600V 99Mohm E To220 Rohs Compliant: Yes
600V 37A 87m´Î@10V18.5A 357W 3.5V@250uA 13.9pF@380V N Channel 2.604nF@380V 88nC@10V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-220 MOSFETs ROHS
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET easy-drive series offers slightly slower rise and fall times compared to the SuperFET II MOSFET series. Noted by the "E" part number suffix, this family helps manage EMI issues and allows for easier design implementation. For faster switching in applications where switching losses must be at an absolute minimum, please consider the SuperFET II MOSFET series.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)37 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance99 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.465 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation357 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation357 W
Rds On Max99 mΩ
Rise Time23 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time92 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height20.4 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento