onsemi BSV52
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1
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
12 V
12 V
12 V
Max Collector Current
200 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
400 MHz
400 MHz
400 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
400 mV
400 mV
400 mV
hFE Min
25
25
25
Power Dissipation
225 mW
300 mW
300 mW
Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2019-07-30
LTD Date2020-01-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi BSV52 suministradas por sus distribuidores.
BSV52 Series 12 V 200 mA NPN Surface Mount Switching Transistor - SOT-23-3
NPN SWITCHING TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 12V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
BIPOLAR Transistor, NPN, 12V; Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition
12V 225mW 200mA 40@10mA1V 400MHz 400mV@50mA5mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
This device is designed for high speed saturated switching at collector currents of 10 mA to 100 mA. Sourced from Process 21.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Current Rating200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency400 MHz
Gain Bandwidth Product400 MHz
hFE Min25
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency400 MHz
Voltage Rating (DC)12 V
Dimensions
Height930 µm
Length2.92 mm
Width1.3 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento