onsemi BSV52LT1G
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Este componente
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962,642
962,642
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
12 V
12 V
12 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
400 MHz
500 MHz
500 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
400 mV
400 mV
400 mV
hFE Min
25
25
25
Power Dissipation
300 mW
250 mW
250 mW
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de onsemi BSV52LT1G suministradas por sus distribuidores.
BSV52LT1G - 12 V 100 mA NPN Surface Mount Switching Transistor - SOT-23-3
ON SEMI BSV52LT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 12 V, 3-PIN SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR, NPN, 12V, 100MA, SOT-23-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12V; Transition Frequency ft: 400MHz; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 25hFE; T
onsemi NPNTransistor, SOT-23encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current100 mA, maximum collector-emission voltage12 V
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Current Rating200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)1.2 V
Gain Bandwidth Product400 MHz
hFE Min25
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency400 MHz
Voltage Rating (DC)12 V
Dimensions
Height1.01 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento