onsemi BC856BLT3G
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6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-65 V
-
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
650 mV
650 mV
650 mV
hFE Min
220
220
220
Power Dissipation
225 mW
300 mW
300 mW
Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
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Diodes Inc.DDTA114YCA-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.DDTA113ZCA-7-F
DDTA Series 200 mW 1 KO / 10 KO PNP Pre-Braised Small Signal Transistor - SOT-23
Descripciones
Descripciones de onsemi BC856BLT3G suministradas por sus distribuidores.
BC856 Series 65 V 100 mA 225 mW Surface Mount PNP Transistor - SOT-23
ON SEMI BC856BLT3G PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 65 V, 3-PIN SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
650mV@5mA, 100mA PNP 300mW 5V 15nA 80V 65V 100mA SOT-23-3, TO-236 SMD 2.9mm × 1.3mm × 1mm
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
65V 225mW 100mA 290@2mA5V 100MHz 650mV@100mA5mA PNP -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-65 V
Collector Emitter Saturation Voltage650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min220
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-65 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento