onsemi BC856ALT1G
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Componentes alternativos
Este componente
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Stock
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4,131,608
4,131,608
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6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23
SOT-23
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
-65 V
-65 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-650 mV
650 mV
650 mV
hFE Min
125
125
125
Power Dissipation
300 mW
250 mW
250 mW
Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Diodes Inc.DDTA114ECA-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Diodes Inc.DDTA114YCA-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descripciones
Descripciones de onsemi BC856ALT1G suministradas por sus distribuidores.
ON Semi BC856ALT1G PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 65 V; 3-Pin SOT-23
Bipolar Transistors (BJT); BC856ALT1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 65 V; 100 mA
65V 300mW 125@2mA,5V 100mA PNP SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
BC Series 65 V 100 mA SMT PNP Silicon General Purpose Transistor - SOT-23
General Purpose Transistors PNP Silicon VCEO=65V VEBO=5V IC=100mA SOT23
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -65V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 100hFE; Transistor C
Bipolar Transistor, Pnp -65V Sot-23, Full Reel; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:65V; Continuous Collector Current:100Ma; Power Dissipation:300Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi BC856ALT1G.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Saturation Voltage-650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min125
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-65 V
Dimensions
Height940 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento