onsemi BC856BDW1T3G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | BC856BDW1T3G | 40.000 | 14564 | |||||||||
| Rochester Electronics | BC856BDW1T3G | 70.777 | 4h | |||||||||
| DigiKey | BC856BDW1T3GOSCT-ND | 5451 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Flip Electronics | BC856BDW1T3G | 10.000 | 4d | |||||||||
| Newark | BC856BDW1T3G | 0 | 10K | Tape & Reel |
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
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Stock
1,754,944
244,419
Authorized Distributors
6
2
Mount
-
-
Case/Package
SOT-363-6
SOT-363-6
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
65 V
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-650 mV
-650 mV
hFE Min
220
220
Power Dissipation
380 mW
-
Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
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MUN Series 50 V 100 mA 4.7 kOhm NPN/PNP Dual Bias Resistor Transistor - SOT-363
Descripciones
Descripciones de onsemi BC856BDW1T3G suministradas por sus distribuidores.
ON Semi BC856BDW1T3G Dual PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 65 V; 6-Pin SOT-363
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
650mV@ 5mA,100mA 2 PNP (Dual) 380mW 5V 15nA 80V 65V 100mA SC-70-6 2mm*1.25mm*900¦Ìm
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
100 mA 65 V 2 CHANNEL PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Bipolar Transistor, Pnp, -65V; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max Npn:-; Collector Emitter Voltage Max Pnp:65V; Continuous Collector Current Npn:-; Continuous Collector Current Pnp:100Ma; Power Dissipation Npn:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi BC856BDW1T3G
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage-650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min220
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation380 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation380 mW
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-65 V
Dimensions
Height950 µm
Length2.08 mm
Width1.25 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento