onsemi 2SC5242OTU
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5
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
-
TO-264-3
TO-264-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
250 V
250 V
250 V
Max Collector Current
17 A
17 A
17 A
Transition Frequency
30 MHz
30 MHz
30 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
400 mV
400 mV
400 mV
hFE Min
80
80
80
Power Dissipation
130 W
150 W
150 W
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-03-17
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2025-07-02
LTD Date2026-01-02
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
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Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Through Hole
Descripciones
Descripciones de onsemi 2SC5242OTU suministradas por sus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Through Hole
Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
RF Transistor, NPN Single MCP, 10 V, 70 mA, fT = 7 GHz. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
Trans GP BJT NPN 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
TRANSISTOR, NPN, 250V, 17A, TO-3P-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 250V; Transition Frequency ft: 30MHz; Power Dissipation Pd: 130W; DC Collector Current: ; Available until stocks are exhausted
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.401 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)250 V
Collector Emitter Breakdown Voltage250 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency30 MHz
Gain Bandwidth Product30 MHz
hFE Min80
Max Collector Current17 A
Max Frequency30 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation130 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency30 MHz
Dimensions
Height23.8 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento