onsemi 2SC5200OTU
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6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-264-3
TO-264
TO-264
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
250 V
250 V
250 V
Max Collector Current
17 A
17 A
17 A
Transition Frequency
30 MHz
30 MHz
30 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
400 mV
400 mV
400 mV
hFE Min
80
80
80
Power Dissipation
150 W
150 W
150 W
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-03-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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2SA1943 Series 250 V CE Breakdown 17 A PNP Epitaxial Silicon Transistor TO-264
Descripciones
Descripciones de onsemi 2SC5200OTU suministradas por sus distribuidores.
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onsemi NPNTransistor, TO-264encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current17 A, maximum collector-emission voltage250 V
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-264-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.756 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)250 V
Collector Emitter Breakdown Voltage250 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency30 MHz
Gain Bandwidth Product30 MHz
hFE Min80
Max Collector Current17 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation150 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency30 MHz
Dimensions
Height29 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento