onsemi 2N7002T
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Cadena de suministros
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2007-10-08
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMN66D0LT-7
Mosfet, N-Ch, 60V, 0.115A, Sot-523 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN66D0LT-7
Descripciones
Descripciones de onsemi 2N7002T suministradas por sus distribuidores.
N-Channel MOSFET, Enhancement Mode, 60V, 115mA, 2Ω
N-Channel 60 V 7.5 Ohm SMT Enhancement Mode Field Transistor SOT-523F
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-523FL T/R / MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F
MOSFET, N CH, 60V, 115MA, SOT-523F-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:1.76V; Power Dissipation Pd:200mW; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOT-523F; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-523
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)115 mA
Drain to Source Breakdown Voltage78 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance50 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.76 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation200 mW
Rds On Max7.5 Ω
Resistance7.5 Ω
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time12.5 ns
Turn-On Delay Time5.85 ns
Dimensions
Height780 µm
Length1.7 mm
Width980 µm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento