Diodes Inc. DMN66D0LT-7
$ 0.079
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMN66D0LT-7 | 432.000 | 3K | 2d | ||||||||
| Newark | DMN66D0LT-7 | 2215 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMN66D0LT-7 | 432.000 | 6K | |||||||||
| Arrow Electronics | DMN66D0LT-7 | 6000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | DMN66D0LTDICT-ND | 14.654 | 1 | Cut Tape |
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Fichas técnicas y documentos
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 SnapEDA | Footprint | Descargar |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMN66D0LT-7 suministradas por sus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 60V, 0.115A, Sot-523 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN66D0LT-7
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 / Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-523 T/R
200mW(Ta) 20V 2V@ 250¦ÌA 1N 60V 5¦¸@ 115mA,10V 115mA 23pF@25V SOT-523 1.6mm*800¦Ìm*800¦Ìm
60V 115mA 200mW 5Ω@10V,115mA 2V@250uA N Channel SOT-523 MOSFETs ROHS
75V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-523
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.012816 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)115 mA
Drain to Source Resistance6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance23 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation200 mW
Rds On Max5 Ω
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height750 µm
Length1.6 mm
Width800 µm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento