Diodes Inc. 2N7002T-7-F
$ 0.06
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | 2N7002T-7-F | 190 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | 2N7002T-7-F | 33.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | 2N7002T-7-F | 1182 | 1182 | |||||||||
| Future Electronics | 2N7002T-7-F | 45.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | 2N7002T-FDICT-ND | 74.030 | 1 | Cut Tape |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-08-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. 2N7002T-7-F suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 60 V 7.5 Ohm Enhancement Mode Transistor SOT-523
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-523, Surface Mount
Mosfet, N Channel, 60 V, 800Ma, Sot-523; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:800Ma; Tensión Drenaje-Fuente Vds:60V; Resistencia De Activación Rds(On):13.5Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Diodes Inc. 2N7002T-7-F
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-523
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.012816 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)115 mA
Current Rating115 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance13.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance50 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation150 mW
Rds On Max7.5 Ω
Resistance7.5 Ω
Schedule B8541210080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height750 µm
Length1.6 mm
Width800 µm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento