onsemi 2N3906TAR
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Componentes alternativos
Este componente
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Price @ 1000
$ 0.07
$ 0.048
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Stock
418,958
2,533,197
2,533,197
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92
TO-92
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-400 mV
-400 mV
-400 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi 2N3906TAR suministradas por sus distribuidores.
TRANS PNP 40V 0.2A TO92-3 / Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
200 mA, 40 V PNP Small Signal Bipolar Junction Transistor
2N3906 Series 40 V 0.2 A PNP General Purpose Amplifier Through Hole - TO-92
Transistor 2N3906 PNP General Purpose (Tape/Reel/Ammo)
40V 625mW 200mA 100@10mA1V 250MHz PNP 400mV@50mA5mA -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
This device is designed for general purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10 µA to 100 mA.
onsemi PNPTransistor, TO-92encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current-200 mA, maximum collector-emission voltage-40 V
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-40 V
Collector Emitter Saturation Voltage-400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating-200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency250 MHz
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency250 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento