onsemi 2N3906TA
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.055
$ 0.044
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Stock
855,400
3,301,665
3,301,665
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92
TO-92
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-400 mV
-400 mV
-400 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi 2N3906TA suministradas por sus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Through Hole
TRANSISTOR,BJT,PNP,40V V(BR)CEO,200MA I(; TRANSISTOR,BJT,PNP,40V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-92
200 mA, 40 V PNP Small Signal Bipolar Junction Transistor
400mV@ 5mA,50mA PNP 625mW 5V 40V 40V 200mA TO-92-3 8.77mm
40V 625mW 200mA 100@10mA1V 250MHz 400mV@50mA5mA PNP -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
This device is designed for general purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10 µA to 100 mA.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-40 V
Collector Emitter Saturation Voltage-400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating-200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency250 MHz
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency250 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento