Nexperia PMV20ENR
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-02-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Componentes relacionados
InfineonIRLML0030TRPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 27ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Diodes Inc.DMN3070SSN-7
Single N-Channel 30 V 50 mOhm 6 nC 0.78 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Diodes Inc.DMN3042L-7
Single N-Channel 30 V 1.4 W 20 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
InfineonIRLML6344TRPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 29ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Descripciones
Descripciones de Nexperia PMV20ENR suministradas por sus distribuidores.
N-Channel MOSFET 30V 6A 21mΩ@6A,10V 435pF@15V 510mW(Ta) 6.94W(Tc) TO-236AB SMD 1.1mm H
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, TO-236AB, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Alias de fabricantes
Nexperia tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Nexperia también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -6.97%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance21 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance435 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation6.94 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation510 mW
Rds On Max21 mΩ
Rise Time17 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time9 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento