Diodes Inc. DMN3023L-7
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-02-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMN3042L-7
Single N-Channel 30 V 1.4 W 20 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
InfineonIRLML6344TRPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 29ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Diodes Inc.DMG3404L-7
Single N-Channel 30 V 0.78 W 13.2 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
InfineonIRLML0030TRPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 27ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Diodes Inc.DMP3068L-7
DMP3068L Series 30 V 3.3 A P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
VishaySI2369DS-T1-GE3
Single P-Channel 30 V 0.04 Ohm 17 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMN3023L-7 suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
DMN3023 Series N-Channel 30 V 25 mOhm SMT Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
MOSFET, N-CH, 30V, 6.2A, SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V; Pow
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance873 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation900 mW
Rds On Max25 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time231 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height1.1 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant