Nexperia BSS138PS
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.082
Stock
2,328,723
5,278,784
Authorized Distributors
0
6
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-363
SOT
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
320 mA
320 mA
Threshold Voltage
1.2 V
1.2 V
Rds On Max
-
1.6 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
420 mW
280 mW
Input Capacitance
38 pF
50 pF
Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-11-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMN53D0LDW-7
TRANSISTOR, DUAL N-CHANNEL, ENHANCEMENT MODE, 50V, 0.36A, MOSFET, SOT-363
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N-Channel (Dual) 60 V 350 mA 2 Ohm SMT Enhancement Mode Mosfet SOT-363
onsemiNTJS4160NT1G
Small Signal MOSFET 30V 3.2A 60 mOhm Single N-Channel SC−88/SC70−6/SOT−363
InfineonBSD214SNH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 1.5A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD214SNH6327XTSA1
Descripciones
Descripciones de Nexperia BSS138PS suministradas por sus distribuidores.
420mW 20V 1.5V 0.72nC@ 4.5V 1N 60V 1.6¦¸@ 10V 300mA 38pF@ 10V SOT-363 2.2mm*1.35mm*1mm
320 mA 60 V 2 CHANNEL N-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs; BSS138PS; NEXPERIA; 60 V; 320 mA; 20 V; 280 mW
MOSFET, NN CH, 60V, 0.32A, SOT363; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:320mA; Drain Source Voltage Vds, N Channel:60V; On Resistance Rds(on), N Channel:0.9ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.2V; Power Dissipation Pd:420mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Continuous Drain Current Id:320mA; Drain Source Voltage Vds:60V; Module Configuration:Dual N Channel; On Resistance Rds(on):0.9ohm; Power Dissipation Pd:420mW
Alias de fabricantes
Nexperia tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Nexperia también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Modelos CAD
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1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Continuous Drain Current (ID)320 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance38 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation420 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.2 V
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation420 mW
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time9 ns
Turn-On Delay Time2 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento