Infineon SPD06N80C3ATMA1

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
$ 0.792
NRND
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DistributorSKUMinPkg
Newark
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SPD06N80C3ATMA16675Cut Tape
Arrow Electronics
2
SPD06N80C3ATMA17981
Future Electronics
2
SPD06N80C3ATMA125002500Tape & Reel
Rochester ElectronicsSPD06N80C3ATMA114.161
22h
DigiKey
3
SPD06N80C3ATMA1CT-ND58721Cut Tape

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Datasheet10 páginasHace 17 años

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Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-02-27
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Componentes relacionados

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TRANSISTOR, MOSFET, 800V COOLMOS CE POWER, N-CHANNEL, 800V, 18A, TO252
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Trans MOSFET N-CH 800(Min)V 5.7A 3-Pin TO-252 T/R
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Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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VishaySIHD6N62E-GE3
78W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 34nC@ 10 V 1N 620V 900m¦¸@ 3A,10V 6A 578pF@100V TO-252AA 2.38mm
Detalles
onsemiFCD850N80Z
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 6 A, 850 mΩ, DPAK
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STMicroelectronicsSTD11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon SPD06N80C3ATMA1 suministradas por sus distribuidores.

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
EBV Elektronik
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Semicontronic
MOSFET, N, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):900mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:6A; Package / Case:TO-252; Power Dissipation Pd:83W; Pulse Current Idm:18A; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:800V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 6 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 800 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 900 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 8 / Rise Time ns = 15 / Turn-OFF Delay Time ns = 72 / Turn-ON Delay Time ns = 25 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 83
Distrelec
800V CoolMOS C3 is Infineon's third series of CoolMOS with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio. | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Consumer; PC power; Adapter; Lighting; Solar
Infineon

Imágenes

element14 APAC
DKO Electronshik
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RS APAC
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • SP001117772
  • SPD06N80C3