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Infineon IPD65R660CFDBTMA1

MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3 N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
$ 0.614
Production
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Distribuidor
SKU
Mín.
Pkg
Precios por volumen
Rochester Electronics
IPD65R660CFDBTMA1
5000
USD
0,740
0,614
0,547
23h
Microchip USA
2
IPD65R660CFDBTMA1
345
100
6d
Component Stockers USA
IPD65R660CFDBTMA1
16
USD
1,540
1,320
1,320
1,320
1,320
>1wk
Win Source
2
WS-IPD65R660CFD
8400
40
USD
1,391
1,131
1,131
1d
Worldway Electronics
IPD65R660CFDBTMA1
8846
7
Tape & Reel
USD
0,132
0,129
0,124
0,122
6h

Fichas técnicas y documentos

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IHS

Datasheet21 páginasHace 0 años
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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
InfineonIPD65R660CFDBTMA1
InfineonIPD65R660CFDATMA1
Price @ 1000
$ 0.614
$ 0.813
Stock
281,705
126,403
Authorized Distributors
1
1
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
TO-252-3
TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
6 A
6 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
660 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
63 W
63 W
Input Capacitance
615 pF
-

Cadena de suministros

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-09-30
LTD Date2021-03-31

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Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IPD65R660CFDBTMA1 suministradas por sus distribuidores.

MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3 N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Eurochip Technologies LTD
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Verical
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2 CoolMOS CFD2
Best Source
62.5W(Tc) 20V 4.5V@ 200µA 22nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 660mΩ@ 2.1A,10V 6A 615pF@100V SMD mount
UnikeyIC
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
IHS
IPD65R660 - 650V AND 700V COOLMO
Fmall Co., Limited
MOSFET, N-CH, 650V, 6A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.594ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: -; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: CoolMOS CFD2 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell

Imágenes

TME
Farnell
Rochester Electronics

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IPD65R660CFD