Infineon IPD65R660CFDBTMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
$ 0.614
Production

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IPD65R660CFDBTMA1.

IHS

Datasheet21 páginasHace 0 años
Datasheet21 páginasHace 0 años

Newark

_legacy Avnet

TME

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
+0.00%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IPD65R660CFDBTMA1 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
EE Concierge
SímboloFootprint
SnapEDA
Footprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.614
$ 0.813
Stock
237,719
62,449
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
TO-252-3
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
6 A
6 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
660 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
63 W
63 W
Input Capacitance
615 pF
-

Cadena de suministros

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2020-09-30
LTD Date2021-03-31

Componentes relacionados

Trans MOSFET N-CH 650V 6.8A 3-Pin TO-252 T/R
E Series N-Channel 650 V 78 W 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - DPAK
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / 650V CoolMOS C6 Power Transistor
Single N-Channel 650 V 600 mOhm 21 nC SIPMOS® Power Mosfet - TO-252-3
STMicroelectronicsSTD11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 6 A, 850 mΩ, DPAK

Descripciones

Descripciones de Infineon IPD65R660CFDBTMA1 suministradas por sus distribuidores.

Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2 CoolMOS CFD2
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
IPD65R660 - 650V AND 700V COOLMO
MOSFET, N-CH, 650V, 6A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.594ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: -; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: CoolMOS CFD2 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IPD65R660CFD