Infineon SI4435DYTRPBF
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Cadena de suministros
Country of OriginIsrael, Mainland China, Philippines, Thailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-07-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2025-12-31
LTD Date2026-12-31
Componentes relacionados
InfineonIRF7416PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
InfineonIRF7416TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
Descripciones
Descripciones de Infineon SI4435DYTRPBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.015Ohm;ID -8A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
Single P-Channel 30 V 0.02 Ohm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
P CHANNEL MOSFET, 8A; TRANSISTOR POLARIT; P CHANNEL MOSFET, 8A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):35mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V; Power Dissipation Pd:2.5W
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Current Rating-8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Fall Time90 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.32 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1 V
Number of Elements1
On-State Resistance20 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max20 mΩ
Resistance20 mΩ
Rise Time76 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time130 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento