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Infineon IRLS4030TRLPBF

N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 180A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Con
$ 1.465
NRND
Ficha técnica
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Distribuidor
SKU
Mín.
Pkg
Precios por volumen
Newark
IRLS4030TRLPBF
140
1
Cut Tape
USD
3,810
2,490
1,740
1,740
1,740
Future Electronics
2
IRLS4030TRLPBF
5600
800
Tape & Reel
USD
1,290
1,250
Arrow Electronics
IRLS4030TRLPBF
29.600
800
USD
1,237
1,188
DigiKey
3
IRLS4030TRLPBFCT-ND
4594
1
Cut Tape
USD
6,060
4,014
2,854
2,854
2,854
Rochester Electronics
IRLS4030TRLPBF
0
USD
1,230
1,100
1,030
12h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRLS4030TRLPBF.

IHS

Datasheet11 páginasHace 17 años

element14 APAC

iiiC

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
InfineonIRLS4030TRLPBF
Texas InstrumentsCSD19536KTT
Texas InstrumentsCSD19536KTT
Price @ 1000
$ 1.465
$ 2.18
$ 2.18
Stock
778,161
571,946
571,946
Authorized Distributors
6
4
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
TO-263
TO-263
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
180 A
200 A
200 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
4.3 mΩ
2.4 mΩ
2.4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
20 V
20 V
Power Dissipation
370 W
375 W
375 W
Input Capacitance
11.36 nF
12 nF
12 nF

Cadena de suministros

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

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Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IRLS4030TRLPBF suministradas por sus distribuidores.

N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 180A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Con
Newark
Single N-Channel 100 V 3.9 mOhm 93 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 180 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Avnet
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Benefits: RoHS Compliant; Logic Level | Target Applications: Battery Operated Drive
Infineon
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET, N-CH, 100V, 180A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 180A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0034ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5
Farnell

Imágenes

Infineon
TME
RS
Newark
Future Electronics
Newark
Rochester Electronics
LZChips

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRFIRLS4030TRLPBF
  • SP001552944