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Infineon IRFS4010TRLPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
$ 1.338
NRND
Ficha técnica
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Precio y existencias

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Distribuidor
SKU
Mín.
Pkg
Precios por volumen
Avnet
2
13AC9154
73
1
USD
4,050
2,650
1,850
1,850
1,850
8h
Newark
2
IRFS4010TRLPBF
73
1
Cut Tape
USD
4,050
2,650
1,850
1,850
1,850
Future Electronics
3
IRFS4010TRLPBF
8
1
Cut Tape
USD
2,390
2,170
2,040
1,830
1,830
Arrow Electronics
2
IRFS4010TRLPBF
2762
2
USD
3,087
2,159
1,674
1,555
Rochester Electronics
IRFS4010TRLPBF
46.846
USD
1,220
1,090
1,020
6h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRFS4010TRLPBF.

element14 APAC

Datasheet10 páginasHace 14 años

RS (Formerly Allied Electronics)

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
InfineonIRFS4010TRLPBF
InfineonIRFS4010PBF
InfineonIRFS4010PBF
Price @ 1000
$ 1.338
$ 4.33
$ 4.33
Stock
815,517
151,326
151,326
Authorized Distributors
6
1
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
180 A
180 A
180 A
Threshold Voltage
-
4 V
4 V
Rds On Max
4.7 mΩ
4.7 mΩ
4.7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
375 W
375 W
375 W
Input Capacitance
9.575 nF
9.575 nF
9.575 nF

Cadena de suministros

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

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Descripciones

Descripciones de Infineon IRFS4010TRLPBF suministradas por sus distribuidores.

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Win Source
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 100 V 4.7 mOhm 143 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 180 A, 0.0047 ohm, TO-263AB, Surface Mount
Avnet
MOSFET, 100V, 180A, 4.7 MOHM, 143 NC QG, D2-PAK | Infineon IRFS4010TRLPBF
RS (Formerly Allied Electronics)
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:180A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:375W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFS4010TRLPBF.
Newark
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon

Imágenes

Infineon
Newark
Farnell
TME
RS
Future Electronics
LZChips

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRFS4010
  • IRFS4010TRLPBF.
  • SP001550124