Infineon IRLS3034PBF

Single N-Channel 40 V 1.7 mOhm 108 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
$ 6.52
Obsolete
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRLS3034PBF02Bulk
2h
FarnellIRLS3034PBF01
12h
Win SourceWS-IRLS3034PBF18410
13h
Worldway ElectronicsIRLS3034PBF16.3237Tube
12h
GreenTree ElectronicsIRLS3034PBF450
4h

Fichas técnicas y documentos

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IHS

Datasheet11 páginasHace 16 años
Datasheet10 páginasHace 16 años

iiiC

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
InfineonIRLS3034PBF
InfineonIRLS3034TRLPBF
Price @ 1000
$ 6.52
$ 1.354
Stock
140,397
185,311
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
195 A
195 A
Threshold Voltage
2.5 V
-
Rds On Max
1.7 mΩ
1.7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
375 W
195 W
Input Capacitance
10.315 nF
10.315 nF

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

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STMicroelectronicsSTB270N4F3
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Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IRLS3034PBF suministradas por sus distribuidores.

Single N-Channel 40 V 1.7 mOhm 108 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Verical
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET, N-CH 40V 195A D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):1.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:375W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:343A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:375W; Power Dissipation Pd:375W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:2.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V
element14 APAC
Benefits: Optimized for Logic Level Drive; Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Superior R*Q at 4.5V VGS; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability; Lead-Free | Target Applications: Battery Operated Drive
Infineon

Imágenes

Infineon
Augswan
Distrelec
Farnell
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
Distrelec
element14
Conrad
Rochester Electronics
iiiC

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRFIRLS3034PBF
  • IRLS3034PBF.
  • SP001559018