onsemi FDB016N04AL7
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-12-13
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Componentes relacionados
InfineonIRLS3034TRLPBF
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STMicroelectronicsSTB270N4F3
Automotive-grade N-channel 40 V, 1.6 mOhm typ., 160 A STripFET F3 PowerMOSFET in D2PAK package
Descripciones
Descripciones de onsemi FDB016N04AL7 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 306A, 1.6mΩ
40 V, 306 A, 1.6 MILLI OHM N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
283W(Tc) 20V 3V@ 250µA 167nC@ 10 V 1individualNChannel 40V 1.6mΩ@ 80A,10V 160A 11.6nF@25V TO-263-7 SMD mount 10.2mm*9.4mm*4.7mm
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Weight1.312 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)160 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance11.6 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation283 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation283 W
Rds On Max1.6 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time118 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height4.7 mm
Length10.2 mm
Width9.4 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento