Infineon IRLR3636PBF
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6
Mount
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Surface Mount
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Case/Package
TO-252-3
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
99 A
50 A
50 A
Threshold Voltage
2.5 V
2.5 V
2.5 V
Rds On Max
6.8 mΩ
6.8 mΩ
6.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
143 W
143 W
143 W
Input Capacitance
3.779 nF
3.779 nF
3.779 nF
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Descripciones
Descripciones de Infineon IRLR3636PBF suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 60 V 6.8 mOhm 33 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
MOSFET, 60V, 99A, 6.8 MOHM, 33 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)99 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance8.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time96 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance3.779 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation143 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.8 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation143 W
Rds On Max6.8 mΩ
Resistance6.8 MΩ
Rise Time216 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time45 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento