Infineon IRLR3636TRPBF

Single N-Channel 60 V 8.3 mOhm 49 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
$ 0.718
Production
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IRLR3636TRPBF121Cut Tape
Future Electronics
2
IRLR3636TRPBF36.0002KTape & Reel
Arrow Electronics
4
IRLR3636TRPBF42521
Rochester ElectronicsIRLR3636TRPBF1000
2h
DigiKey
3
IRLR3636TRPBFCT-ND23.5871Cut Tape

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRLR3636TRPBF.

Newark

Datasheet11 páginasHace 17 años

IHS

Future Electronics

iiiC

Historial de existencias

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
InfineonIRLR3636TRPBF
InfineonIRLR3636TRLPBF
InfineonIRLR3636TRLPBF
Price @ 1000
$ 0.718
$ 0.758
$ 0.758
Stock
700,226
159,196
159,196
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
50 A
50 A
50 A
Threshold Voltage
2.5 V
-
-
Rds On Max
6.8 mΩ
6.8 mΩ
6.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
143 W
143 W
143 W
Input Capacitance
3.779 nF
3.779 nF
3.779 nF

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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VishaySQD40N06-14L_GE3
Mosfet Transistor, N Channel, 40 A, 60 V, 0.011 Ohm, 10 V, 2 V Rohs Compliant: Yes |Vishay SQD40N06-14L-GE3
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IRLR3636TRPBF suministradas por sus distribuidores.

Single N-Channel 60 V 8.3 mOhm 49 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Future Electronics
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N-CH, 60V, 50A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0054ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V;
element14 APAC
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon

Imágenes

Infineon
RS APAC
Newark
TME
Conrad
Future Electronics
iiiC
RS (Formerly Allied Electronics)
LZChips
LCSC
Rochester Electronics

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRFIRLR3636TRPBF
  • SP001574002