Infineon IRLH5034TR2PBF
$ 1.793
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRLH5034TR2PBF | 0 | 400 | Bulk | 21h | |||||||
| Avnet | IRLH5034TR2PBF | 0 | 400 | 11h | ||||||||
| Farnell | IRLH5034TR2PBF | 0 | 1 | Cut Tape | 8h | |||||||
| Microchip USA | IRLH5034TR2PBF | 276 | 150 | Tray | 1d | |||||||
| Win Source | WS-IRLH5034TR2PBF | 20 | 165 | 9h |
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRLH5034TR2PBF.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IRLH5034TR2PBF desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloFootprint |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-04-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-05-12
LTD Date2014-11-12
Componentes relacionados
InfineonIRL1004SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 0.0065Ohm;ID 130A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-16V
InfineonAUIRFS8405
MOSFET, 40V, 120A, Q101, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
InfineonAUIRFS8405TRL
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTB120N4LF6
N-channel 40 V, 3.1 mOhm, 80 A, D2PAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
STMicroelectronicsSTD120N4LF6
Mosfet Transistor, N Channel, 80 A, 40 V, 0.004 Ohm, 10 V, 1 V |Stmicroelectronics STD120N4LF6
Descripciones
Descripciones de Infineon IRLH5034TR2PBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, 40V, 100A, 2.4 mOhm max, 43 nC Qg, PQFN 5x6, Logic Level
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN package
Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin PQFN EP T/R
MOSFET,W DIODE,N CH,40V,29A,PQFN56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:3.6W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Voltage Vgs Max:16V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance3.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance4.73 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation3.6 W
Rds On Max2.4 mΩ
Recovery Time38 ns
Rise Time54 ns
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time31 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length5 mm
Width5.1562 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRLH5034TR2PBF.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento