onsemi FDB9406-F085
$ 1.824
EOL
Precio y existencias
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FDB9406_F085 | 41.298 | 198 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDB9406-F085 | 47.019 | 17h | |||||||||
| DigiKey | FDB9406-F085CT-ND | 377 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Flip Electronics | FDB9406-F085 | 33.600 | 7d | |||||||||
| Avnet | FDB9406-F085 | 0 | 569 | 5d |
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-02-04
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
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VishaySQM120N04-1M9_GE3
Compliant Surface Mount 1.946308 g 92 ns Tape & Reel (TR) 5 ns Unknown 1.9 mΩ
Descripciones
Descripciones de onsemi FDB9406-F085 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40 V, 110 A, 1.8 mΩ
Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
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Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.71 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation176 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation176 W
Rds On Max1.8 mΩ
Rise Time48 ns
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time32 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento