Infineon IRL8113SPBF
$ 3.39
Obsolete
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Componentes alternativos
Este componente
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Price @ 1000
$ 3.39
$ 3.29
Stock
100,642
19,463
Authorized Distributors
1
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
6 mΩ
6 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
110 W
110 W
Input Capacitance
2.84 nF
2.84 nF
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-01-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Descripciones
Descripciones de Infineon IRL8113SPBF suministradas por sus distribuidores.
IRL8113SPBF N-channel MOSFET Transistor, 105 A, 30 V, 3-Pin D2PAK
Single N-Channel 30 V 110 W 23 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 30V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance; Logic Level
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:105A; On Resistance, Rds(on):6mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2PAK ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, 30V, 105A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:105A; Resistance, Rds On:0.006ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2.25V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:420A; Power Dissipation:110W; Power, Pd:110W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.006ohm; Thermal Resistance, Junction to Case A:1.32°C/W; Voltage, Vds:30V; Voltage, Vds Max:30V; Voltage, Vgs th Max:2.25V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Current Rating105 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.84 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.25 V
Number of Elements1
On-State Resistance6 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation110 W
Rds On Max6 mΩ
Recovery Time27 ns
Resistance6 MΩ
Rise Time38 ns
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento