Infineon IPB055N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Obsolete
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

Ver todas las estructuras de precios
DistributorSKUMinPkg
FarnellIPB055N03LGATMA101
21h
Win Source
2
WS-IPB055N03LG10108
22h
Worldway ElectronicsIPB055N03LGATMA118.0907Tape & Reel
21h
AztechIPB055N03LGATMA16250
17h
SHENGYU ELECTRONICS
2
IPB055N03LG15.3241
4d

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IPB055N03LGATMA1.

IHS

Datasheet10 páginasHace 15 años

iiiC

Farnell

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IPB055N03LGATMA1 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
EE Concierge
SímboloFootprint
SnapEDA
Footprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-11-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-11-15
LTD Date2020-05-15

Componentes relacionados

onsemiFDB6670AL
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Detalles
onsemiFDB7030BL
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 60A, 9mΩ
Detalles
onsemiFDB8896
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 30V, 93A, 5.7mΩ
Detalles
InfineonIRF3707ZSPBF
IRF3707ZSPBF N-channel MOSFET Transistor, 59 A, 30 V, 3-Pin D2PAK
Detalles
InfineonIRL8113SPBF
IRL8113SPBF N-channel MOSFET Transistor, 105 A, 30 V, 3-Pin D2PAK
Detalles
onsemiFDB6690S
30V/20V, 15.5/23MO, NCH, SINGLE, TO263, 500A GOX, PTI
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IPB055N03LGATMA1 suministradas por sus distribuidores.

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET, N CH, 50A, 30V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:68W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:50A; Power Dissipation Pd:68W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
With the new OptiMOS 30V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. | Summary of Features: Ultra low gate and output charge; Lowest on-state resistance in small footprint packages; Easy to design in | Benefits: Increased battery lifetime; Improved EMI behavior making external snubber networks obsolete; Saving costs; Saving space; Reducing power losses | Target Applications: Onboard charger; Notebook; Mainboard; DC-DC; VRD/VRM; Motor control; LED
Infineon

Imágenes

RS
TME
TME
Farnell
iiiC

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IPB055N03L G
  • IPB055N03LG
  • SP000304110