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Infineon IRFZ34NPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.04 Ohm; Id 29A; TO-220AB; Pd 68W; Vgs +/-20V
$ 0.345
Production
Ficha técnica
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Distribuidor
SKU
Mín.
Pkg
Precios por volumen
Arrow Electronics
3
IRFZ34NPBF
91.767
1
USD
0,588
0,588
0,462
0,373
0,279
Newark
IRFZ34NPBF
5920
1
USD
1,250
0,683
0,617
0,464
0,433
Future Electronics
2
IRFZ34NPBF
88.400
100
Tube
USD
0,325
0,320
0,305
Rutronik
TMOSP12498
43.050
1K
USD
0,280
0,224
23h
Rochester Electronics
IRFZ34NPBF
250
USD
0,391
0,324
0,289
15h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRFZ34NPBF.

IHS

Datasheet10 páginasHace 22 años
Datasheet9 páginasHace 28 años

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

Newark

Jameco (USA)

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Tendencia de 3 meses:
-86.91%
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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
InfineonIRFZ34NPBF
InfineonAUIRFZ34N
Price @ 1000
$ 0.345
$ 1.028
Stock
1,287,088
140,313
Authorized Distributors
6
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
26 A
29 A
Threshold Voltage
4 V
2 V
Rds On Max
40 mΩ
40 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
56 W
68 W
Input Capacitance
700 pF
700 pF

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2012-08-25
LTD Date2013-02-25

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Single N-Channel 60 V 0.05 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
Detalles
onsemiFQP30N06
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 60 V, 30 A, 40 mΩ, TO-220
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onsemiFQP30N06L
Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 60 V, 32 A, 35 mΩ, TO-220
Detalles
onsemiHUFA76419P3
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IRFZ34NPBF suministradas por sus distribuidores.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 29A;TO-220AB;PD 68W;VGS +/-20V
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 55 V 0.04 Ohm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Future Electronics
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Through Hole
Avnet
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Verical
68W 20V 4V@ 250uA 34nC@ 10V 2individualNChannel 55V 40m¦¸@ 10V,16A 29A 700pF@25V TO-220
UnikeyIC
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
ComSIT Distribution GmbH
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Infineon
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:29A; On Resistance, Rds(on):40mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes
Newark
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 29 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 40 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 40 / Rise Time ns = 49 / Turn-OFF Delay Time ns = 31 / Turn-ON Delay Time ns = 7 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220AB / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Power Dissipation (Pd) W = 68
Distrelec
MOSFET, N, 55V, 26A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:26A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:100A; Device Marking:IRFZ34NPBF; Lead Spacing:2.54mm; No. of Pins:3; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Power Dissipation:56W; Power, Pd:56W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:2.7°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:55V
Farnell

Imágenes

Infineon
Farnell
TME
DKO Electronshik
Newark
B+D Enterprises
RS APAC
RS APAC
Conrad
iiiC
RS (Formerly Allied Electronics)
South Microelectronics
International Rectifier
Jameco (USA)
LCSC
Rochester Electronics
Newark

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRFZ34/N
  • IRFZ34N
  • IRFZ34NPBF.
  • SP001568128