onsemi FQP30N06L
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-09-13
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de onsemi FQP30N06L suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 60 V, 32 A, 35 mΩ, TO-220
N CHANNEL MOSFET, 60V, 32A, TO-220; Tran; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A;
N-Channel 60 V 40 mOhm Flange Mount Mosfet - TO-220
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications..
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Current Rating32 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.04 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation79 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Elements1
Power Dissipation79 W
Rds On Max35 mΩ
Resistance35 mΩ
Rise Time210 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height16.3 mm
Length10.67 mm
Width4.7 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento