Infineon IRFS4620TRLPBF
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | IRFS4620TRLPBFCT-ND | 25.735 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | IRFS4620TRLPBF | 4000 | 800 | 7h | ||||||||
| Newark | IRFS4620TRLPBF | 438 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IRFS4620TRLPBF | 5600 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | IRFS4620TRLPBF | 1166 | 1 |
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Stock
477,291
230,626
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount, Through Hole
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
24 A
24 A
Threshold Voltage
-
5 V
Rds On Max
77.5 mΩ
77.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
144 W
144 W
Input Capacitance
1.71 nF
1.71 nF
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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InfineonIRFS4020PBF
200V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET Switch in a D2Pak package
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFS4620TRLPBF suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 200V 77.5 mOhm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.0775ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 200V, 24A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 24A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.0637ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Power Dissipation Pd: 144W; Transistor Case Style: TO-263AB; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance77.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.71 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation144 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance78 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation144 W
Rds On Max77.5 mΩ
Rise Time22.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time25.4 ns
Turn-On Delay Time13.4 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento