Infineon IRFR4620TRLPBF
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6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
24 A
24 A
24 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
78 mΩ
78 mΩ
78 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
144 W
144 W
144 W
Input Capacitance
1.71 nF
1.71 nF
1.71 nF
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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InfineonAUIRFR4620
Automotive Q101 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-PAK Package, DPAK-3, RoHS
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFR4620TRLPBF suministradas por sus distribuidores.
N CH POWER MOSFET, NEXFET, 200V, 24A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Conti
Single N-Channel 200 V 78 mOhm 38 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK / Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 200V, 24A, TO-252AA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.064ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Po
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance78 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.71 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation144 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance78 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation144 W
Rds On Max78 mΩ
Resistance78 MΩ
Rise Time22.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time25.4 ns
Turn-On Delay Time13.4 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length10.3886 mm
Width6.73 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento